光刻機是半導體制造的核心設備，它利用短波長紫外光在硅片上曝光光刻膠膜，制造出具有復雜電路布局的芯片。然而，傳統的汞燈和DUVLED光源存在諸多不足，如器件尺寸大、分辨率低、能耗高、光效率低和光功率密度不足等，限制了光刻機的性能和應用范圍。為了克服這些挑戰，香港科技大學、南方科技大學和中國科學院蘇州納米技術研究所聯合開展研究，成功開發出一種深紫外(DUV)微型LED顯示器陣列，用于光刻機制造，這標志著在半導體設備自主研發領域邁出了關鍵一步.

    一、研究成果與創新點
    1.世界上第一個增強效率的DUV微型LED：該微型LED通過提供足夠的光輸出功率密度，在更短的時間內曝光光刻膠膜，展示了低成本無掩模光刻的可行性，相較于傳統光源，顯著提高了光刻效率.
    2.無掩模光刻原型平臺的構建：研究團隊利用該平臺，通過使用無掩模曝光的DUV微型LED制造了第一個微型LED器件，這一創新方法簡化了光刻流程，降低了生產成本，同時提高了生產過程中的光提取效率、熱分布性能和外延應力消除，為半導體制造提供了新的技術路徑.
    3.優異的器件性能：制成的DUV微型LED具有高功率、高光效、高分辨率圖案顯示、提升屏幕性能、快速曝光能力等特點。其器件尺寸更小、驅動電壓更低、外量子效率更高、光功率密度更高、陣列尺寸更大、顯示分辨率更高，這些關鍵性能指標均處于全球領先地位，相較于其他代表作品具有顯著優勢.

    二、研究影響與未來展望
    1.推動半導體設備自主研發：這項工作為我國在半導體設備領域的自主研發提供了重要技術支持，有助于打破國外技術壟斷，提升我國半導體產業的自主創新能力，增強在全球半導體市場的競爭力.
    2.促進無掩模光刻技術發展：無掩模光刻技術因可調整曝光圖案、提供更大的定制化空間、節省光刻膠制備成本等特點，近年來受到了廣泛的研究關注。該研究的成功將推動無掩模光刻技術的進一步發展和應用，為半導體制造帶來新的變革.
    3.拓展應用領域：除了在半導體制造中的應用，該DUV微型LED技術還有望在其他需要高精度曝光的領域發揮重要作用，如微納加工、生物醫療、顯示技術等，具有廣闊的應用前景.

    未來，該研究團隊計劃繼續提升鋁鎵氮化物DUV微型LED的性能，改進原型，并開發2k至8k高分辨率DUV微型LED顯示屏，以滿足更高精度和更大規模的光刻需求，進一步推動半導體制造技術的進步和相關產業的發展.